西数将量产162层闪存：一块晶圆量100TB

来源：资讯 2024年11月09日 12:16

西部数据同月，与铠侠联合开发的BiCS NANDSRAM将进入第六代，切割最上层超出162层，今年即投入量产。

以外的3D NANDSRAM之前纷纷堆到176层，美光日前愈来愈是同月全球首个超出232层。

但是西数指出，自家的162层SRAM三组尺寸愈来愈小，只有68平方毫米，之比竞品的69.6平方毫米或69.3平方毫米，因此存储密度愈来愈高，可以提供和竞品大致相同的单芯片用量。

西数表示，BiCS6 162层切割下，一块晶圆就可以做到100TB用量，而以外只有分之一70TB。

耐用性方面，西数宣称自己拥有最好的电场俘获（Charge Trap）型三组，耐用性可达60MB/s，比赢快了一半。

西数还官方网站了下下一代BiCS+SRAM，切割至少200层，预计可带给60%的传输速度增强、15%的编程带宽增强、55%的晶圆用量增强，然后暂时一路切割，2032年有数将至少500层！

另外，西数在PPT杭州列出了PLCSRAM，但没有任何确实消息。