设备 | 下世代EUV单一总投资额超4亿美元！仍供不应求

020 年到 2021 年试采购的 High-NA EUV 微影爆出带电粒子元件。此外，ASML 早就也开始为 Imec 采购其首个 High-NA EUV 微影爆出带电粒子元件，预料将于 2023 年完毕将获后，用于研制出用途。

不久前，ASML 执行长 Peter Wennink 也表示，在 High-NA EUV 微影爆出带电粒子元件上都，ASML 早就授予较差十分困难，在此之前早就开始在 ASML 位处瑞典新无尘室中时会订做成名作 High-NA EUV 微影爆出带电粒子元件。另外，在 2022 年第一季，ASML 接获多份 EXE:5200 的采购。这个年末，也接获其他的 EXE:5200 采购。在此之前已为来自三个命题CPU和两个芯片顾客的采购。将来借以这些带电粒子元件的供货，将为爆出微影系统设计设计的精度和采购力备有下一步的拓展。

新闻媒体进一步务实，ASML 的 Twinscan EXE:5200 比现阶段的 Twinscan NXE:3400C 带电粒子元件要多样得多，因此订做这些的设备也必须越来越长的时间段。该日本公司想要在将来首阶段性签订合同 20 套 High-NA EUV 微影爆出带电粒子元件，这或许亦然着顾客将一再展开面对。另外，到在此之前为止，唯一确认用于 ASML High-NA EUV 微影爆出带电粒子元件的是芯片微芯片的 18A 单晶终端。微芯片著手在 2025 年转回批量采购阶段性，而 ASML 也是至少在那时开始签订合同其 High-NA EUV 微影爆出带电粒子元件。但已经有微芯片早就将其 18A 的采购规划延误到 2024 年月底，并表示可以用于 ASML 的 Twinscan NXE:3600D 或 NXE:3800E 来采购，这看出或许藉由多重爆出模的设计来远；也其High-NA EUV 微影爆出带电粒子元件能远；也的真实感。

从这一点来看，虽然微芯片的 18A 单晶系统设计设计时会大大受惠于 High-NA EUV 微影爆出带电粒子元件的出现，但也带表非基本上必不可少 Twinscan EXE:5200 带电粒子元件。在商言商，虽然微芯片的 18A 单晶系统设计设计不一定必须新的设备，但多重爆出模的设计意味着必须冒越来越长厂家采购间隔、越来越偏高良率以及越来越偏高的获利的效用，这将使得微芯片越来越困难与面对对手面对。所以，微芯片一定也想要它的 18A 单晶终端尽慢速到来，进而重拾往日荣耀，好从惠普手中时会夺回芯片厂商头名的地位。至于，其他领先的导体装配商，有数惠普、LG、SK 海力士和美红光等也将无可避免地采用 High-NA EUV 微影爆出带电粒子元件来展开CPU的大量采购。但是，现阶段唯一的问题是，这情况究竟何时暴发。

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